半導体露光装置FPA-6000ES6a|概要

基本情報

• 装置名： FPA-6000ES6a

特長

KrF露光装置のニーズ

近年の微細化とともにクローズアップされてきた問題の一つとして、露光コストがあげられます。KrF露光の方がArF露光よりもCoOの観点で有利な為、デバイスレイヤー全体の露光コストで考慮すると、KrF装置の限界を追求して、担当分野を以前より広くし、チップコストを下げるという選択肢も考えられます。 プロセスが多様化していく中で、デバイスの方向性をよく認識し、ユーザーのデバイス戦略にあわせ、KrFとArFの露光装置の役割を的確に振り分け、トータルコストの優位性を持つようデバイスメーカーと協力していく事が重要と考えます。

HighNA（0.86）極低収差レンズにより90ナノメートルデザインルールの本格量産に対応

先進のレンズデザインと計測技術を駆使して高NA0.86の新開発極低収差1:4縮小倍率投影レンズを搭載するとともに、光源にKrF（フッ化クリプトン） エキシマレーザー （波長248ナノメートル） を採用することにより、線幅90ナノメートルのデザインルールに対応しています。 また、従来機種により技術の成熟した 「FPA-6000シリーズ」 のボディを採用し、本格的量産装置として高い信頼性を確保しています。

高速スキャンにより高スループットを達成

レチクル側とウエハー側の双方のステージを動かしながら露光するスキャニング方式を採用し、500mm／秒という高速スキャンスピードを実現しています。さらに、ソフトの改良などによる各種ユニット制御の精度向上やウエハー交換時間の短縮化などにより、高水準のスループットを実現しています。

8ナノメートル以下の高いオーバーレイ精度

レチクルステージとウエハーステージの制御精度を一層高めるとともに、コンパクトチャンバー内の超精密温度コントロールを達成しています。 これにより、光学系レンズのディストーション低減と相まって、8ナノメートル以下という高いオーバーレイ精度を実現しています。